開關電源作為(wei)運用于開關狀況的能量轉化設(she)備(bei)，開關電源的電壓、電流改變率很高，所(suo)以(yi)產生(sheng)的干擾強度也比較大。

干擾(rao)(rao)源主要(yao)會集在功率開關期(qi)間以及與之相(xiang)連的(de)(de)(de)散(san)熱器(qi)和高(gao)平變(bian)壓(ya)器(qi)，相(xiang)關于數(shu)字電(dian)路干擾(rao)(rao)源的(de)(de)(de)方位較為清楚。開關頻(pin)率不高(gao)（從幾十(shi)千(qian)赫和數(shu)兆(zhao)赫茲），主要(yao)的(de)(de)(de)干擾(rao)(rao)形式是(shi)傳導干擾(rao)(rao)和近(jin)場(chang)干擾(rao)(rao)。而印刷線(xian)路板(ban)（PCB）走(zou)線(xian)通常選(xuan)用手(shou)工布線(xian)，具有**的(de)(de)(de)隨(sui)意性，這增加了 PCB 散(san)布參數(shu)的(de)(de)(de)提(ti)取和近(jin)場(chang) 干擾(rao)(rao)估量的(de)(de)(de)難(nan)度。

1MHZ 以內(nei)：以差模(mo)干擾為主，增大(da) X 電容就(jiu)可(ke)處(chu)理(li)；

1MHZ—5MHZ：差(cha)模共模混合(he)，選用輸入端并(bing)一系列(lie)X電容(rong)來(lai)濾除差(cha)摸干擾并(bing)分析(xi)出(chu)是(shi)哪種(zhong)干擾超支并(bing)處理(li);

5M：以上(shang)(shang)以共(gong)摸干擾為主，選用(yong)抑(yi)制共(gong)摸的(de)(de)辦法(fa)。關于(yu)外殼接地(di)的(de)(de)，在(zai)地(di)線上(shang)(shang)用(yong)一個磁(ci)盤(pan)繞2圈(quan)會(hui)對10MHZ以上(shang)(shang)干擾有較大(da)的(de)(de)衰減(jian)（diudiu2006）;

關(guan)于(yu)25--30MHZ不(bu)過能夠選用加大(da)對(dui)地Y電容、在變壓(ya)器外(wai)面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸出(chu)線前面接(jie)一(yi)個(ge)雙線并繞(rao)的(de)小磁環，最少繞(rao)10圈、在輸出(chu)整流管兩頭并 RC 濾波器。

30—50MHZ：遍及是 MOS 管高速(su)注冊(ce)關(guan)斷(duan)引起(qi)，能夠用增(zeng)大MOS驅(qu)動電阻，RCD緩沖(chong)電路選用 1N4007慢(man)管，VCC供(gong)電電壓用 1N4007慢(man)管來處理(li)。

100—200MHZ：遍及是輸出(chu)整流(liu)管反向恢復電流(liu)引起，能(neng)夠在整流(liu)管上串磁珠

100MHz—200MHz：之間大部(bu)分出于(yu) PFCMOSFET及PFC二(er)極(ji)(ji)管(guan)，現在(zai)MOSFET及PFC二(er)極(ji)(ji)管(guan)串磁珠有作用，水(shui)平(ping)方(fang)向(xiang)基本(ben)能夠處理問題，但筆直方(fang)向(xiang)就沒辦法了。

開關電源(yuan)的(de)輻(fu)射一般只會影(ying)響(xiang)到 100M 以下的(de)頻段。也能夠在 MOS，二(er)極管上(shang)加相應吸收回路，但效率會有(you)所下降。

設(she)計(ji)開關電(dian)源時防止 EMI 的措施

1.把(ba)噪(zao)音電路節點的(de) PCB 銅箔面積**極(ji)限地減小;如開關管的(de)漏(lou)極(ji)、集(ji)電極(ji)，初次級繞組的(de)節點，等。

2.使輸入(ru)和輸出端遠離噪音元件(jian)，如變壓器線包(bao)，變壓器磁芯，開關管的散熱片，等等。

3.使噪音元件(jian)（如未(wei)遮蓋(gai)的(de)變壓器線包，未(wei)遮蓋(gai)的(de)變壓器磁芯，和(he)開(kai)關(guan)管(guan)，等(deng)等(deng)）遠離外(wai)殼(ke)邊際(ji)，因為在正常(chang)操作(zuo)下(xia)外(wai)殼(ke)邊際(ji)很(hen)可能(neng)靠近外(wai)面的(de)接地線。

4.如果變壓器沒有運用電場屏(ping)蔽，要堅持屏(ping)蔽體和散熱片遠(yuan)離(li)變壓器。

5.盡量減(jian)小以下(xia)電流環(huan)的面積：次級（輸出）整流器，初級開關功率器材，柵極(ji)（基極(ji)）驅動線路，輔佐整流器。

6.不要將門(men)極（基極）的(de)驅動返饋環路和初(chu)級開關電(dian)路或(huo)輔佐(zuo)整(zheng)流電(dian)路混(hun)在一同。

7.調整(zheng)優化阻尼電(dian)阻值，使它(ta)在開關的死區(qu)時間里不產生振鈴響聲(sheng)。

8.防止 EMI 濾波(bo)電感(gan)飽滿。

9.使拐彎(wan)節(jie)點(dian)和次級(ji)電路的(de)元件遠離初級(ji)電路的(de)屏蔽體(ti)或許開關管的(de)散熱片。

10.堅持(chi)初(chu)級(ji)電(dian)路的(de)擺動的(de)節點和元(yuan)件本體遠離屏蔽或許散熱片。

11.使高頻輸入的(de) EMI 濾(lv)波(bo)器靠近輸入電纜或許(xu)連接(jie)器端。

12.堅持高頻(pin)輸出的 EMI 濾波器靠近輸出電線端(duan)子。

13.使 EMI 濾波器對(dui)面的 PCB 板(ban)的銅箔和元件本(ben)體之間堅持一定(ding)距離。

14.在(zai)輔(fu)佐(zuo)線圈的(de)整流(liu)器的(de)線路上放(fang)一些電阻。

15.在磁(ci)棒線圈上并聯阻尼電阻。

16.在輸出 RF 濾波(bo)器(qi)兩頭并聯阻(zu)尼電阻(zu)。

17.在 PCB 設計時答應(ying)放 1nF/500V 陶瓷電容(rong)器(qi)或(huo)許還(huan)能夠是一串電阻，跨接在變壓器(qi)的初(chu)級(ji)的靜端和輔(fu)佐繞組之間。

18.堅(jian)持(chi) EMI 濾波器遠(yuan)離功率變壓(ya)器;尤其是(shi)防(fang)止定位在繞包(bao)的端部。

19.在(zai) PCB 面積(ji)滿(man)足的情況下，可在(zai) PCB 上留下放屏蔽繞組(zu)用的腳位(wei)和放 RC 阻尼器的方位(wei)，RC 阻尼器可跨接在(zai)屏蔽繞組(zu)兩頭(tou)。

20.空間答應的(de)話在開關功率場效應管(guan)的(de)漏極和門極之間放一(yi)個(ge)小徑(jing)向引線電容(rong)器（米(mi)勒電容(rong)，10 皮法/1 千(qian)伏電容(rong)）。

21.空間答應(ying)的話放一個小的 RC 阻尼器在直流輸出(chu)端。

22.不(bu)要把 AC 插座與初級開關管的散熱片靠(kao)在一同。