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2015年04月21日Flash芯片行情
2015-4-28


台湾市场:
 
今日的DRAM现货市场,Samsung DDR3 512x8-1600品牌颗粒仍是有些许零星询单出现,工厂端于低价颗粒承接意愿较高,不过整体交易量未能放大。在主流品牌的部份,DDR3 512x8-1600/1333均价下跌至USD3.095/USD3.155,DDR3 256*8-1600/1333均价下跌至USD1.576/USD1.977,DDR3 128Mx8/1333价格维持在USD1.235,而在DDR2 128Mx8/800方面,价格维持在USD1.197;另外在eTT的部份,DDR3 512x8/1333价格下跌至USD2.661,DDR3 256Mx8/1333均价维持在USD1.438,DDR3 128Mx8/1333均价维持在USD0.745,而DDR2 128Mx8/800均价维持在USD1.141。

在NAND Flash的现货部份,市场需求仍集中于 64G/128G MLC,但在卖方报价大幅跳空后,工厂端购货意愿明显趋缓,整体价格则有些许滑落,实际成交量略为缩减。记忆卡部份,Micro SD 2G/8G/32G低价部位仍有零星买单询价,但目标价格多保守偏低,未见明显交集,整体价格缓步下跌。Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 8Gb(SLC) / 16Gb(SLC), 价格落在USD0.78~0.83 / 1.60~2.65 / 1.97~2.02 / 4.00~4.05 / 7.70~7.80。而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 16Gb(MLC) / 32Gb(MLC) / 64Gb(MLC), 价格落在USD1.15~1.20 / 1.50~1.55 / 2.30~2.40 / 1.80~1.93 / 1.74~1.88 / 1.82~2.52。

香港市场:

今日的DRAM部分表现较为安静,需求稀少,买家态度依然保守,仅在DDR3部分有些许询单动作,多数颗粒价格缓慢下滑,成交量减少。DDR3 2Gb(256*8)1333MHz Micron/Hynix:USD1.95-2.7/1.95-2.7; DDR3 2Gb(256*8)1333MHz eTT:USD1.5-1.55; DDR3 1Gb(128*8)1333MHz Hynix:USD1.25-1.35; DDR3 1Gb(128*8)1333MHz eTT:USD0.75-0.82; DDR2 1Gb(128*8)800MHz Micron/Hynix:USD1.14-1.6/1.14-1.6; DDR2 1Gb(128*8)800MHz eTT:USD1.13-1.18; DDR1 512Mb(64*8)400MHz Hynix:USD1.6-2.35; DDR1 256Mb(32*8) 400MHz Hynix:USD0.6-1.9。

在NAND Flash的现货部份,买气一般,需求依然集中在64G颗粒上,价格依然上调,买家未有追高,多数颗粒价格缓慢下滑,整体成交量有限。Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 8Gb(SLC) / 16Gb(SLC), 价格落在USD0.78~0.83 / 1.60~2.65 / 1.97~2.02 / 4.00~4.05 / 7.70~7.80。而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 16Gb(MLC) / 32Gb(MLC) / 64Gb(MLC), 价格落在USD1.15~1.20 / 1.50~1.55 / 2.30~2.40 / 1.80~1.93 / 1.74~1.88 / 1.82~2.52。

深圳市场: 

今日DRAM市场表现冷清,买气薄弱,买家问价动作零星,供应端报价也不积极,颗粒价格呈现下滑趋势,整体成交量减少。内存条方面,市场表现一般,买家问价动作断断续续,多数价格变化不大,成交量不多。SDRAM部分,市场表现平稳,需求一般,整体价格相对平稳,成交量零星。


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